Strona główna› feram
Tag: feram 2009-02-09 07:49:00| Gery.pl Może najpierw kilka słów o tym czym jest FeRAM (FRAM), bo o tym rodzaju pamięci niewiele się mówi. FeRAM to pamięć nieulotna, nie wymagająca zasilania do potrzymania zawartości - podobieństwo do popularnych pamięci flash jest tutaj nieuniknione. Konstrukcyjnie FeRAM zbliżona jest jednak do pamięci DRAM, efektem czego są znacznie poprawione w stosunku do pamięci flash transfery, niższa energochłonność i, co niezwykle istotne, trwałość. Szacuje się, że ta ostatnia sięga obecnie 10^16 cykli zapisu (dla zasilania 3.3V). Dotychczas pamięci tego typu tkwiły gdzieś na uboczu rynku - niska gęstość komórek pamięci oraz przeciętne osiągi wykluczały je z wykorzystania w bardziej wymagających konstrukcjach. Właśnie się to zmieniło - na nadchodzącej konferencji ISSCC 2009 w San Francisco Toshiba zamierza zaprezentować działające moduły pamięci FeRAM, których pojemność sięga 128Mbit a prędkości odczytu/zapisu - 1.6GB/s (interfejs DDR2). Należy przypuszczać, że Toshiba nadal będzie inwestować w rozwój tego typu pamięci - jeśli szybko uda jej się zwiększyć pojemność modułów, może się okazać, że będziemy mieć szanse być świadkami technologicznej rewolucji. Nic nie będzie bowiem stało na przeszkodzie, by pamięci FeRAM przejęły rozwijający się dopiero rynek dysków SSD, dojrzały rynek pamięci flash itd. A szanse na rozwój są duże, obecna generacja pamięci FeRAM konstruowana jest w archaicznej już obecnie technologii 120nm.
Tagi: toshiba
kości
feram toshiba
feram
2009-02-09 07:49:00| Gery.pl Może najpierw kilka słów o tym czym jest FeRAM (FRAM), bo o tym rodzaju pamięci niewiele się mówi. FeRAM to pamięć nieulotna, nie wymagająca zasilania do potrzymania zawartości - podobieństwo do popularnych pamięci flash jest tutaj nieuniknione. Konstrukcyjnie FeRAM zbliżona jest jednak do pamięci DRAM, efektem czego są znacznie poprawione w stosunku do pamięci flash transfery, niższa energochłonność i, co niezwykle istotne, trwałość. Szacuje się, że ta ostatnia sięga obecnie 10^16 cykli zapisu (dla zasilania 3.3V). Dotychczas pamięci tego typu tkwiły gdzieś na uboczu rynku - niska gęstość komórek pamięci oraz przeciętne osiągi wykluczały je z wykorzystania w bardziej wymagających konstrukcjach. Właśnie się to zmieniło - na nadchodzącej konferencji ISSCC 2009 w San Francisco Toshiba zamierza zaprezentować działające moduły pamięci FeRAM, których pojemność sięga 128Mbit a prędkości odczytu/zapisu - 1.6GB/s (interfejs DDR2). Należy przypuszczać, że Toshiba nadal będzie inwestować w rozwój tego typu pamięci - jeśli szybko uda jej się zwiększyć pojemność modułów, może się okazać, że będziemy mieć szanse być świadkami technologicznej rewolucji. Nic nie będzie bowiem stało na przeszkodzie, by pamięci FeRAM przejęły rozwijający się dopiero rynek dysków SSD, dojrzały rynek pamięci flash itd. A szanse na rozwój są duże, obecna generacja pamięci FeRAM konstruowana jest w archaicznej już obecnie technologii 120nm.
Tagi: toshiba
kości
feram toshiba
feram
Strony : [1] |